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2026河南省科学院半导体研究所招聘公告
发布时间：2026-06-17 10:32:59 责任编辑：admin
招聘岗位及待遇
1. 岗位要求
2. 具体方向
(1)集成光子 / 光电软件设计和软件开发
1) 熟悉光学材料、器件物理模型、版图设计、布线、链路仿真(DRC/LVS/PEX)等 EPDA 软件开发;
2) 熟悉 Comsol，FDTD 等物理仿真软件，或者硅光器件设计及仿真常用工具，具备 EDA 软件使用经验优先;
3) 熟悉几何光学、物理光学和导波光学，硅光器件模型的开发与维护，包括模型构建、参数提取和验证;
4) 熟练使用 Python、C/C++ 等工具，熟悉软件开发和测试、数据结构、机器学习的基本理论和常用算法;
5) 有很好的自学能力，善于学习和钻研最新研究成果;有 EDA/PDA 工具开发经验优先。
(2)硅基 / III-V 族半导体光电子器件异质集成
1) 硅基光子器件与模块的设计与表征;
2) InP 基光电子器件设计、制备及表征;
3) 硅基–Ⅲ V 异质集成;
4) 铌酸锂调制器、等离子激元调制器等研发;
5) 碳化硅、氮化硅片上光频梳光源研制;
6) 硅光芯片的光路设计与测试、耦合技术开发。
(3)光通信 / 光信息器件研究
1) 从事光通信、高速光器件或光模块、先进封装等方向研究;
2) 熟悉信号通信、传输、处理、测试;
3) 熟悉配套的 FPGA、ASIC 数字 / 模拟电路设计，硅光器件封装的光学、电学设计和测试;
4) 熟悉晶圆级封装工艺、2.5D/3D 先进集成工艺;
5) 实现硅光封装测试设备自动控制，使用 Labview,C++ 等编程实现自动耦合及测试，具备较强的动手能力。
(4)精密仪器设计及制造
1) 表面增强红外、拉曼、荧光光谱学中的材料、器件、仪器开发研制;
2) 小型化、智能化光谱仪和传感器开发;
3) 了解集成电路、微纳传感器设计原理;熟悉 MEMS 工艺制程、嵌入式板级电路的设计与调试;熟悉电气自动化及编程者优先。
(5)二维材料与器件方向
1) 二维材料：熟悉二维材料制备转移及表征方法，掌握微纳加工技术，具备 FET、光电探测器等器件制备经验，熟练使用电学测试设备及器件物理分析;
2) 自旋电子器件：熟悉自旋电子学基本理论及磁隧道结、SOT 等效应，掌握磁性薄膜制备与磁学表征技术，具备自旋阀、磁存储或自旋逻辑器件设计测试经验;
3) 新型信息器件：熟悉神经形态计算、存算一体等新型架构，掌握铁电 / 铁磁 / 相变 / 离子调控材料体系之一，具备忆阻器、铁电晶体管或突触器件制备经验，能开展脉冲及可靠性测试，有器件建模或阵列集成经验者优先;
4) 新型半导体材料物性调控与器件设计：熟悉二维 / 宽禁带 / 超宽禁带半导体材料，掌握第一性原理计算或多物理场仿真，能开展掺杂、应变、缺陷等调控研究，结合计算与实验提出新器件结构，有机器学习辅助筛选或高通量计算经验者优先。
薪酬待遇
进入省直事业编制。
在聘期内提供 15–35 万元的年薪;同时享受我院科研绩效奖励，上不封顶。
提供 20–30 万元的安家费，符合条件人员可享受三年内免费人才公寓。
提供 20–50 万元科研启动经费。
协助解决子女入园问题。
享受郑州市人才生活补贴和购房补贴政策。
对具有良好发展潜力、科研业绩突出的优秀青年人才，将纳入省科学院高层次人才培养体系，通过连续稳定的科研经费支持，逐步培养成学术技术带头人。
特别优秀的人才可一人一议。
招聘对象和条件
应聘人员必须具备的基本条件
具有中华人民共和国国籍;
遵守宪法和法律，具有良好的政治素质和道德品行;
具有符合岗位要求的专业知识或技能;
具备正常履行职责的身体条件;
已取得博士研究生学历、学位证书(国(境)外学历学位需取得教育部留学服务中心出具的学历学位认证书);
年龄一般不超过 38 周岁(1987 年 5 月 1 日及以后出生)，急需紧缺、特别优秀的博士研究生经研究后，年龄可放宽至 43 周岁(1982 年 5 月 1 日及以后出生)。
报名方式
采用网上报名方式，应聘人员可登录我院招聘报名网站(https://oa.hnskxy.com:48084/kxy-bybm)，根据岗位要求填报个人信息，上传个人简历及有关支撑材料。
联系邮箱：ios@hnas.ac.cn
联系电话：0371-61768600